[Апрель]

8486 20 900 9 3 Оборудование для химического парофазного осаждения полупроводниковых легированных кремниевых пленок из парогазовой (газовой) фазы при атмосферном давлении и температуре от 900 до 12000°С на полупроводниковые пластины для изготовления эпитаксиальных структур кремния для производства интегральных микросхем и кремниевых полупроводниковых дискретных приборов. В состав установки входит основной блок установки (в котором располагаются реакционная кварцевая камера, где происходит процесс осаждения пленок на пластины, находящиеся на графитовом подложкодержателе, который подогревается посредством индукционного нагрева; газовая распределительная система (панель) для подачи газовых смесей в камеру; блок загрузки исходных пластин, включая шлюзовые камеры и роботов-перегрузчиков; элементы системы индукционного нагрева); низкочастотный генератор для осуществления подачи мощности для индукционного нагрева графитового подложкодержателя; барботер (устройство для перевода сжиженных реагентов в газообразную форму перед их подачей в реакционную камеру); скруббер (устройство для нейтрализации газообразных продуктов химической реакции из камеры установки перед их утилизацией) и система управления установкой на базе персонального компьютера и предустановленного программного обеспечения.

Вы бы еще про выращивание кристаллов по методу Чохральского рассказали. При чем тут осаждение эпитаксиальных пленок, если речь шла о пайке?