![]() |
Цитата:
:confused:8486 - конкретно для данного примера |
Цитата:
А вот такие, например, печки куда посоветуете ? |
Другие печи согласно их предназначения (по тех документации)
|
Цитата:
|
просматриваю инфу в инете - везде пишут для электроники...
у нас сразу будут смотреть на исключения в 8515: д) машины и аппараты для низкотемпературной пайки, высокотемпературной пайки или сварки, используемые исключительно или в основном для сборки полупроводниковых приборов (товарная позиция 8486). |
Цитата:
Все таки печатные платы с предустановленными компонентами, это не совсем "полупроводниковые були и пластины, полупроводниковые приборы, электронные интегральные схемы и плоские дисплейные панели". Хм :russian_ru: |
8486 20 900 9 3 Оборудование для химического парофазного осаждения полупроводниковых легированных кремниевых пленок из парогазовой (газовой) фазы при атмосферном давлении и температуре от 900 до 12000°С на полупроводниковые пластины для изготовления эпитаксиальных структур кремния для производства интегральных микросхем и кремниевых полупроводниковых дискретных приборов. В состав установки входит основной блок установки (в котором располагаются реакционная кварцевая камера, где происходит процесс осаждения пленок на пластины, находящиеся на графитовом подложкодержателе, который подогревается посредством индукционного нагрева; газовая распределительная система (панель) для подачи газовых смесей в камеру; блок загрузки исходных пластин, включая шлюзовые камеры и роботов-перегрузчиков; элементы системы индукционного нагрева); низкочастотный генератор для осуществления подачи мощности для индукционного нагрева графитового подложкодержателя; барботер (устройство для перевода сжиженных реагентов в газообразную форму перед их подачей в реакционную камеру); скруббер (устройство для нейтрализации газообразных продуктов химической реакции из камеры установки перед их утилизацией) и система управления установкой на базе персонального компьютера и предустановленного программного обеспечения.
|
Цитата:
i) монолитные интегральные схемы, в которых элементы схемы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.) выполняются в массе (главным образом) и на поверхности полупроводника или сложного полупроводникового материала (например, легированного кремния, арсенида галлия, силикогермания, фосфида индия) и неотделимо связаны; ii) гибридные интегральные схемы, в которых пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.), выполненные с помощью процессов тонко- или толстопленочной технологии, и активные элементы (диоды, транзисторы, монолитные интегральные схемы и т.д.), полученные с помощью процессов полупроводниковой технологии, соединяются в единое неразделимое целое посредством межэлементных соединений или соединительных кабелей на одной изолирующей подложке (стекло, керамика и т.д.). Такие схемы могут также содержать дискретные компоненты; iii) многокристальные интегральные схемы, состоящие из двух или более соединенных между собой монолитных интегральных схем, неразделимо объединенных в единое целое, расположенных или не расположенных на одной или нескольких изолирующих подложках, имеющие или не имеющие рамки с выводами, но не содержащие никаких других активных или пассивных элементов. |
к 84 гр.
9А. Примечания 8а и 8б к группе 85 также применимы к терминам "полупроводниковые приборы" и "электронные интегральные схемы", соответственно, как используемым в данном примечании и в товарной позиции 8486. Однако в данном примечании и в товарной позиции 8486 термин "полупроводниковые приборы" также распространяется на фоточувствительные полупроводниковые приборы и светоизлучающие диоды. |
Цитата:
|
Текущее время: 13:10. Часовой пояс GMT +3. |
Powered by vBulletin® Version 3.8.4
Copyright ©2000 - 2025, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot