Печь для пайки в паровой фазе (конденсационная пайка)

[MDEN]

Есть оборудование (печка парофазная), принцип работы которого хорошо описан здесь.
Что же это: 8515 (пайка все же) или, может быть, 8514 (нагрев жидкости происходит при помощи нагревателей)? Или же...
Налетай, не ленись!

8486 - конкретно для данного примера

[Boggart]

8486 - конкретно для данного примера

Какой Вы предлагаете вариант - 8486209009 ?
А вот такие, например, печки куда посоветуете ?

[MDEN]

Какой Вы предлагаете вариант - 8486209009 ?
А вот такие, например, печки куда посоветуете ?

ну да в 8486209009

[MDEN]

Другие печи согласно их предназначения (по тех документации)

[MDEN]

просматриваю инфу в инете - везде пишут для электроники...

у нас сразу будут смотреть на исключения в 8515:


д) машины и аппараты для низкотемпературной пайки, высокотемпературной пайки или сварки, используемые исключительно или в основном для сборки полупроводниковых приборов (товарная позиция 8486).

[Boggart]

просматриваю инфу в инете - везде пишут для электроники...

у нас сразу будут смотреть на исключения в 8515:


д) машины и аппараты для низкотемпературной пайки, высокотемпературной пайки или сварки, используемые исключительно или в основном для сборки полупроводниковых приборов (товарная позиция 8486).

Очень интересно. Благодарю.
Все таки печатные платы с предустановленными компонентами, это не совсем "полупроводниковые були и пластины, полупроводниковые приборы, электронные интегральные схемы и плоские дисплейные панели".
Хм

[MDEN]

Очень интересно. Благодарю.
Все таки печатные платы с предустановленными компонентами, это не совсем "полупроводниковые були и пластины, полупроводниковые приборы, электронные интегральные схемы и плоские дисплейные панели".
Хм

б) "схемы электронные интегральные":
i) монолитные интегральные схемы, в которых элементы схемы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.) выполняются в массе (главным образом) и на поверхности полупроводника или сложного полупроводникового материала (например, легированного кремния, арсенида галлия, силикогермания, фосфида индия) и неотделимо связаны;
ii) гибридные интегральные схемы, в которых пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.), выполненные с помощью процессов тонко- или толстопленочной технологии, и активные элементы (диоды, транзисторы, монолитные интегральные схемы и т.д.), полученные с помощью процессов полупроводниковой технологии, соединяются в единое неразделимое целое посредством межэлементных соединений или соединительных кабелей на одной изолирующей подложке (стекло, керамика и т.д.). Такие схемы могут также содержать дискретные компоненты;
iii) многокристальные интегральные схемы, состоящие из двух или более соединенных между собой монолитных интегральных схем, неразделимо объединенных в единое целое, расположенных или не расположенных на одной или нескольких изолирующих подложках, имеющие или не имеющие рамки с выводами, но не содержащие никаких других активных или пассивных элементов.

[MDEN]

8486 20 900 9 3 Оборудование для химического парофазного осаждения полупроводниковых легированных кремниевых пленок из парогазовой (газовой) фазы при атмосферном давлении и температуре от 900 до 12000°С на полупроводниковые пластины для изготовления эпитаксиальных структур кремния для производства интегральных микросхем и кремниевых полупроводниковых дискретных приборов. В состав установки входит основной блок установки (в котором располагаются реакционная кварцевая камера, где происходит процесс осаждения пленок на пластины, находящиеся на графитовом подложкодержателе, который подогревается посредством индукционного нагрева; газовая распределительная система (панель) для подачи газовых смесей в камеру; блок загрузки исходных пластин, включая шлюзовые камеры и роботов-перегрузчиков; элементы системы индукционного нагрева); низкочастотный генератор для осуществления подачи мощности для индукционного нагрева графитового подложкодержателя; барботер (устройство для перевода сжиженных реагентов в газообразную форму перед их подачей в реакционную камеру); скруббер (устройство для нейтрализации газообразных продуктов химической реакции из камеры установки перед их утилизацией) и система управления установкой на базе персонального компьютера и предустановленного программного обеспечения.

[Апрель]

8486 20 900 9 3 Оборудование для химического парофазного осаждения полупроводниковых легированных кремниевых пленок из парогазовой (газовой) фазы при атмосферном давлении и температуре от 900 до 12000°С на полупроводниковые пластины для изготовления эпитаксиальных структур кремния для производства интегральных микросхем и кремниевых полупроводниковых дискретных приборов. В состав установки входит основной блок установки (в котором располагаются реакционная кварцевая камера, где происходит процесс осаждения пленок на пластины, находящиеся на графитовом подложкодержателе, который подогревается посредством индукционного нагрева; газовая распределительная система (панель) для подачи газовых смесей в камеру; блок загрузки исходных пластин, включая шлюзовые камеры и роботов-перегрузчиков; элементы системы индукционного нагрева); низкочастотный генератор для осуществления подачи мощности для индукционного нагрева графитового подложкодержателя; барботер (устройство для перевода сжиженных реагентов в газообразную форму перед их подачей в реакционную камеру); скруббер (устройство для нейтрализации газообразных продуктов химической реакции из камеры установки перед их утилизацией) и система управления установкой на базе персонального компьютера и предустановленного программного обеспечения.

Вы бы еще про выращивание кристаллов по методу Чохральского рассказали. При чем тут осаждение эпитаксиальных пленок, если речь шла о пайке?

[MDEN]

Вы бы еще про выращивание кристаллов по методу Чохральского рассказали. При чем тут осаждение эпитаксиальных пленок, если речь шла о пайке?

мне кажется что данный прибор используется для изготовления интегральных схем,(см примечания к гр.84,85), данное класс.решение привел только для того чтоб показать принцип работы аналогичного устройства (используемого в более узкой сфере)